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NVMe PCIe
PCIe Gen5
Interface Disque
M.2
Capacité stockage
1To
Vitesse d'Écriture
13300 Mo/s
Vitesse de Lecture
14700 Mo/s
Type de Refroidissement
Radiateur
Samsung
9100 PRO 1To M.2 avec dissipateur
Très Bon Etat
- Réf. 04904707
- Réf. constr. MZ-VAP1T0CW-TBE
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Fiche détaillée du produit
Caractéristiques
| Interface Disque | M.2 |
|---|---|
| Capacité stockage | 1To |
| NVMe PCIe | PCIe Gen5 |
| Hauteur | 8,8 mm |
| PCIe carte d'Extension | PCIe 5.0 |
| Type de Refroidissement | Radiateur |
| Vitesse de Lecture | 14700 Mo/s |
| Vitesse d'Écriture | 13300 Mo/s |
| Interface | PCI Express 5.0 |
| Caractéristiques | |
| Version NVMe | 2.0 |
|---|---|
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 1 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 5.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND TLC |
| composant pour | PC/Console de jeux |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Taille du SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Vitesse de lecture | 14700 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 13300 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 1850000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 2600000 IOPS |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Puissance | |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Consommation électrique moyenne (lecture) | 7,6 W |
| Consommation électrique moyenne (écriture) | 7,2 W |
| Poids et dimensions | |
| Largeur | 80,2 mm |
| Profondeur | 8,88 mm |
| Hauteur | 25 mm |
| Poids | 30 g |
| Informations sur l'emballage | |
| Type d'emballage | Boîte |
| Conditions environnementales | |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 : le plafond de vitesse actuel en M.2
Avec 14 700 Mo/s en lecture et 13 300 Mo/s en écriture séquentielle, le 9100 PRO 1To se place dans le peloton de tête des SSD grand public disponibles aujourd'hui. En aléatoire, il délivre jusqu'à 1 850 000 IOPS en lecture et 2 600 000 IOPS en écriture, des chiffres qui font la différence sur les workloads à accès intensifs : IA locale, virtualisation, bases de données, compilation. C'est deux fois plus rapide que les meilleurs SSD Gen 4 x4 en débits séquentiels.
Un dissipateur intégré pour les charges prolongées
Contrairement à la version nue du 9100 PRO, ce modèle (MZ-VAP1T0CW) est livré avec un dissipateur thermique préinstallé. À ces niveaux de débits, le contrôleur génère une chaleur significative susceptible de déclencher le thermal throttling sans refroidissement adapté. Le dissipateur fourni évite cet écueil sans intervention supplémentaire, et s'avère particulièrement utile dans les boîtiers à faible airflow ou pour une installation dans le slot M.2 de la PS5.
V-NAND TLC Samsung et cache LPDDR4X embarqué
Le 9100 PRO s'appuie sur la V-NAND TLC de Samsung produite en interne, associée à 1 Go de mémoire cache LPDDR4X dédiée. Ce cache DRAM maintient des performances cohérentes sur les longues sessions d'écriture, sans la chute caractéristique des SSD à architecture HMB. Le contrôleur maison Samsung optimise la gestion des cellules et la durée de vie de la NAND sur l'ensemble du TBW annoncé de 600 To.
Chiffrement avancé et sécurité niveau professionnel
Le 9100 PRO intègre un chiffrement matériel AES 256 bits, le protocole TCG/Opal 2.0 et le support MS eDrive pour une compatibilité avec les solutions de chiffrement entreprise (BitLocker en mode eDrive notamment). Les données au repos sont protégées sans impact sur les performances. Le SSD est aussi certifié pour un MTBF de 1,5 million d'heures et couvert par une garantie Samsung de 5 ans.
Compatible PS5, PC et workstation
Le format M.2 2280 single-sided et le dissipateur intégré font du 9100 PRO 1To un candidat direct pour le slot d'extension de la PS5, sans accessoire supplémentaire. Sur PC, il est compatible avec toutes les cartes mères équipées d'un slot PCIe 5.0 x4, et fonctionne en rétrocompatibilité sur les slots Gen 4. Un SSD qui reste pertinent sur plusieurs générations de plateformes Intel et AMD.
CARACTÉRISTIQUES CLÉS
Marque : Samsung
Gamme : 9100 PRO
Référence : MZ-VAP1T0CW
Capacité : 1 To
Format : M.2 2280
Interface : PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
Lecture séquentielle : jusqu'à 14 700 Mo/s
Écriture séquentielle : jusqu'à 13 300 Mo/s
IOPS lecture : jusqu'à 1 850 000
IOPS écriture : jusqu'à 2 600 000
Cache : 1 Go LPDDR4X
NAND : Samsung V-NAND TLC
TBW : 600 To
MTBF : 1 500 000 heures
Chiffrement : AES 256 bits, TCG/Opal 2.0, MS eDrive
Dissipateur : intégré
Garantie : 5 ans
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