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Samsung 9100 PRO 4To M.2 NVMe Gen5

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    Le Samsung 9100 PRO 4To est le SSD NVMe haut de gamme de Samsung en PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0, avec des débits séquentiels qui atteignent 14 800 Mo/s en lecture et 13 400 Mo/s en écriture. Il s'adresse aux professionnels, créateurs et power users qui manipulent des fichiers 4K/8K, des pipelines IA ou des environnements de développement exigeants. 4 Go de cache LPDDR4X, 2 400 To TBW et chiffrement AES 256 bits : une référence sans compromis.

    Marque : Samsung

    Ref constructeur : MZ-VAP4T0BW

    1499€99

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    Caractéristiques principales

    • - Capacité stockage : 4To
    • - Interface Disque : M.2
    • - NVMe PCIe : PCIe Gen5
    • - Hauteur : 2,28 mm
    • - PCIe carte d'Extension : PCIe 5.0
    • - Type de Refroidissement : Passif
    • - Interface : PCI Express 5.0
    Voir toutes les caractéristiques

    Marque Samsung

    Samsung 9100 PRO 4To M.2 NVMe Gen5

     

    Le SSD PCIe 5.0 le plus rapide de Samsung


    Avec 14 800 Mo/s en lecture séquentielle et 13 400 Mo/s en écriture, le 9100 PRO double les performances des meilleurs SSD Gen 4 disponibles sur le marché. En aléatoire, il atteint 2 200 000 IOPS en lecture et 2 600 000 IOPS en écriture, des chiffres qui font la différence sur les workloads à accès aléatoires intensifs comme les bases de données, la virtualisation ou les outils IA locaux. C'est le plafond de vitesse accessible en M.2 2280 aujourd'hui.

     

    4 To pour ne jamais choisir entre vitesse et capacité


    La version 4 To du 9100 PRO permet de stocker projets vidéo en RAW, modèles d'IA, bibliothèques de jeux et environnements de travail sur un seul disque rapide. Fini les compromis entre un SSD système de 1 To et un disque secondaire plus lent : toute ta chaîne de travail tourne à pleine vitesse sur le même support. Une capacité adaptée aux stations de montage, aux serveurs de rendu et aux builds enthusiast.

     

    V-NAND TLC Samsung et cache LPDDR4X dédié


    Le 9100 PRO s'appuie sur la V-NAND TLC de Samsung en fabrication maison, associée à 4 Go de mémoire cache LPDDR4X pour maintenir des performances stables sur les longues sessions de transfert. Contrairement aux SSD sans cache DRAM, les débits restent cohérents même lors d'écritures massives et prolongées, sans chute de performance en milieu de copie.

     

    Endurance et sécurité niveau professionnel


    Le TBW (Total Bytes Written) du 9100 PRO 4To est de 2 400 To, ce qui représente des années d'utilisation intensive sans atteindre la limite d'endurance. Le SSD intègre un chiffrement matériel AES 256 bits pour protéger les données au repos, sans impact sur les performances. Samsung couvre cette référence par une garantie constructeur de 5 ans.

     

    Compatible PS5 et plateformes PCIe 5.0


    Le facteur de forme M.2 2280 single-sided le rend compatible avec les emplacements PS5 (avec dissipateur adapté), les cartes mères Intel et AMD équipées d'un slot PCIe 5.0 x4, et les workstations haut de gamme. Sur plateforme PCIe 4.0, le SSD fonctionne en rétrocompatibilité à des débits Gen 4. Un investissement pérenne qui reste pertinent sur plusieurs générations de plateformes.

     

    CARACTÉRISTIQUES CLÉS


    Marque : Samsung
    Gamme : 9100 PRO
    Référence : MZ-VAP4T0BW
    Capacité : 4 To
    Format : M.2 2280
    Interface : PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
    Lecture séquentielle : jusqu'à 14 800 Mo/s
    Écriture séquentielle : jusqu'à 13 400 Mo/s
    IOPS lecture : jusqu'à 2 200 000
    IOPS écriture : jusqu'à 2 600 000
    Cache : 4 Go LPDDR4X
    NAND : Samsung V-NAND TLC
    TBW : 2 400 To
    Chiffrement : AES 256 bits
    Garantie : 5 an

    Disque SSD Samsung 4To NVMe Gen5 M.2 - 9100 PRO Disque SSD Samsung 4To NVMe Gen5 M.2 - 9100 PRO

    Caractéristiques

    Caractéristiques  
    Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
    Capacité du Solid State Drive (SSD) 4 To
    Facteur de forme SSD M.2
    Interface PCI Express 5.0
    NVMe Oui
    Type de mémoire V-NAND TLC
    composant pour PC/ordinateur portable
    Le chiffrement matériel Oui
    Vitesse de lecture 14800 Mo/s
    Vitesse d'écriture 13400 Mo/s
    Lecture aléatoire (4KB) 2200000 IOPS
    Écriture aléatoire (4KB) 2600000 IOPS
    Support S.M.A.R.T. Oui
    Support TRIM Oui
    Temps moyen entre pannes 1500000 h
    Puissance  
    Tension de fonctionnement 3,3 V
    Consommation électrique moyenne (lecture) 9 W
    Consommation électrique moyenne (écriture) 8,2 W
    Poids et dimensions  
    Largeur 80,2 mm
    Profondeur 2,38 mm
    Hauteur 22,1 mm
    Poids 9 g
    Informations sur l'emballage  
    Type d'emballage Boîte
    Conditions environnementales  
    Température d'opération 0 - 70 °C
    Choc durant le fonctionnement 1500 G

    Code EAN

    8806095811703

    Référence produit

    04904337

    Référence constructeur

    MZ-VAP4T0BW

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